ส่วนจำนวน DP0150BLP4-7B ผู้ผลิต Diodes Incorporated หมวดหมู่ Bipolar Transistors - BJT เป็นไปตามมาตรฐาน แผ่นข้อมูล DP0150BLP4-7B ลักษณะ Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
ผู้ผลิต Diodes Incorporated หมวดหมู่ Bipolar Transistors - BJT Collector- Base Voltage VCBO - 50 V Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 50 V Collector-Emitter Saturation Voltage - 300 mV Configuration Single Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V Gain Bandwidth Product fT 80 MHz Maximum DC Collector Current - 200 mA Maximum Operating Temperature + 150 C Minimum Operating Temperature - 55 C Mounting Style SMD/SMT Package / Case DFN1006H4-3 Packaging Reel Pd - Power Dissipation 450 mW Series DP0150 Transistor Polarity PNP