ส่วนจำนวน XK1R9F10QB,LXGQ ผู้ผลิต Toshiba หมวดหมู่ MOSFET เป็นไปตามมาตรฐาน แผ่นข้อมูล XK1R9F10QB,LXGQ ลักษณะ MOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
ผู้ผลิต Toshiba หมวดหมู่ MOSFET Channel Mode Enhancement Id - Continuous Drain Current 160 A Maximum Operating Temperature + 175 C Minimum Operating Temperature - Mounting Style SMD/SMT Number of Channels 1 Channel Package / Case TO-220SM-3 Packaging Cut Tape, Reel Pd - Power Dissipation 375 W Qg - Gate Charge 184 nC Qualification AEC-Q101 Rds On - Drain-Source Resistance 1.92 mOhms Technology SI Transistor Polarity N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.5 V